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中國工程院院士丁榮軍：第三代半導體技術未來十年復合增速將超20%：據上證報，在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導體技術（包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術）已經開始獲得應用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。丁榮軍指出，在電動汽車的應用驅動、性價比權衡、消費慣性等因素影響下，未來十年Si-IGBT仍將是功率半導體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長期并存。
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