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清溢光電8月24日公告，公司擬在佛山市南海區投資35億元建設佛山生產基地項目，包括“高精度掩膜版生產基地建設項目”和“高端半導體掩膜版生產基地建設項目”。

其中高精度掩膜版生產基地建設項目將分三期進行建設，合計擬投資人民幣20億元，其中一期擬投資8億元；二期擬投資3億元，三期擬投資9億元。一期、二期項目擬購置土地50畝（具體面積以最終掛牌面積為準），自簽訂《土地出讓合同》之月起，在12個月內開工建設、36個月內投產。三期項目將根據宏觀環境、市場趨勢等情況綜合確定及推進。

高端半導體掩膜版生產基地建設項目將分三期建設，合計擬投資人民幣15億元，其中一期擬投資6.05億元，二期擬投資2.95億元，三期擬投資6億元。一期、二期項目擬購置土地30畝（具體面積以最終掛牌面積為準），自簽訂《土地出讓合同》之月起，在12個月內開工建設、36個月內投產。三期項目將根據宏觀環境、市場趨勢等情況綜合確定及推進。

公司此次在廣東省佛山市南海區投資建設本項目，旨在充分利用廣東省佛山市南海區的人才和資源、營商環境、產業政策支持等方面的綜合優勢。該項目的投資建設有利于進一步提升公司綜合競爭優勢和盈利能力，提高產品國產化率。

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