宏微科技2023年半年度董事會經(jīng)營評述內(nèi)容如下：

一、報告期內(nèi)公司所屬行業(yè)及主營業(yè)務(wù)情況說明

（一）主要業(yè)務(wù)、主要產(chǎn)品或服務(wù)情況

(資料圖)

公司自設(shè)立以來一直從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案，IGBT、FRED單管和模塊的核心是IGBT和FRED芯片，公司擁有諸多具有一定先進性的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。公司主營業(yè)務(wù)中的單管完全采用自研芯片，模塊產(chǎn)品以自研芯片為主外購芯片為輔。IGBT、FRED作為功率半導(dǎo)體器件的主要代表，是電氣與自動化、電力傳輸與信息通信系統(tǒng)中的核心器件。在當前復(fù)雜而嚴峻的國際形勢下，積極推動我國功率半導(dǎo)體材料、芯片、封測的國產(chǎn)化進程具有極其重大的意義，而研發(fā)和生產(chǎn)自主可控的IGBT、FRED芯片及模塊已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點。

目前，公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品80余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品270余種，公司產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機、UPS電源等），新能源發(fā)電（光伏逆變器等）、電動汽車（電控系統(tǒng)等）等多元化應(yīng)用領(lǐng)域，公司產(chǎn)品性能與工藝技術(shù)水平處于行業(yè)先進水平。

（二）主要經(jīng)營模式

1.研發(fā)模式

公司建立了以客戶需求為導(dǎo)向的研發(fā)體系，制定了《項目立項管理辦法》《產(chǎn)品質(zhì)量先期策劃控制程序》《設(shè)計和開發(fā)控制程序》等研發(fā)流程控制文件，研發(fā)流程主要包括立項、產(chǎn)品設(shè)計與開發(fā)、過程設(shè)計與開發(fā)、產(chǎn)品試生產(chǎn)、產(chǎn)品量產(chǎn)五個階段，各個研發(fā)項目均由產(chǎn)品質(zhì)量先期策劃（APQP）小組承接項目，每個階段均由專門的評審委員會進行評審。

2.采購模式

公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、銅底板、焊料、鋁銅線、外殼等，其中芯片的采購主要通過自主研發(fā)設(shè)計并委托芯片代工企業(yè)制造加工，以及向英飛凌等生產(chǎn)廠商直接采購兩種方式；其他材料主要通過選取至少兩家合格供應(yīng)商比價采購的方式。公司采用訂單采購的采購模式，對于生產(chǎn)中常用的直接物料，由計劃部門根據(jù)銷售訂單或銷售預(yù)測通過ERP系統(tǒng)提交采購請求，由采購部根據(jù)供應(yīng)商的交貨周期進行下單；對于偶然所需的臨時物料，由需求部門填寫《請購單》提出請購需求，通過公司OA系統(tǒng)逐層提交至公司管理層審批，通過后由采購部負責(zé)統(tǒng)一采購。

3.生產(chǎn)模式

公司具備完善的生產(chǎn)運營體系，主要采取“以銷定產(chǎn)”的生產(chǎn)模式，由運營辦公室綜合考慮市場需求、原材料供應(yīng)和產(chǎn)能情況制定生產(chǎn)計劃，公司產(chǎn)品的生產(chǎn)具體可分為兩種模式：自產(chǎn)模式和委托加工模式。

（1）自產(chǎn)模式

公司模塊采用自產(chǎn)模式，通過自有生產(chǎn)線對功率半導(dǎo)體芯片進行模塊化封裝與測試，最終形成功率模塊。公司的模塊產(chǎn)品可分為標準品和定制品，公司的標準品主要依據(jù)產(chǎn)品電壓、電流等規(guī)格，設(shè)計生產(chǎn)出通用的不同系列的產(chǎn)品，并向客戶銷售；定制品主要系公司與客戶在技術(shù)層面深度合作，設(shè)計生產(chǎn)的產(chǎn)品以滿足客戶的特殊需求。公司定制化產(chǎn)品分成量產(chǎn)前及正式量產(chǎn)后兩個階段。量產(chǎn)前，公司按客戶要求進行生產(chǎn)工藝設(shè)計及樣品試制和可靠性測試，公司按照研發(fā)過程中投入的原材料、人工成本、測試費等為基礎(chǔ)向客戶收取技術(shù)服務(wù)費；量產(chǎn)后，公司按照客戶的設(shè)計方案、技術(shù)指標要求，組織生產(chǎn)并批量提供產(chǎn)品。

（2）委托加工模式

公司采取Fabless模式，對于芯片及單管產(chǎn)品生產(chǎn)采用委托加工模式。公司專注于芯片的研發(fā)和設(shè)計，將設(shè)計好的芯片委托給芯片代工企業(yè)制造，公司利用芯片代工企業(yè)強大的芯片生產(chǎn)能力來滿足公司單管和模塊中的芯片需求，實現(xiàn)產(chǎn)品鏈的一體化構(gòu)建。由于國內(nèi)從事單管產(chǎn)品封裝廠家較多，公司將單管產(chǎn)品的封裝與測試環(huán)節(jié)委托給具備單管先進封裝工藝的公司進行代工。

4.營銷模式

公司銷售采取了直銷為主、經(jīng)銷為輔的方式。在直銷模式下，公司通過網(wǎng)絡(luò)宣傳、派出經(jīng)驗豐富的營銷和技術(shù)團隊進行業(yè)務(wù)走訪、參加國內(nèi)外各種行業(yè)展會和學(xué)術(shù)交流會議等方式向下游客戶介紹公司產(chǎn)品、了解客戶需求、推薦使用方案并展開銷售活動；在經(jīng)銷模式下，公司通常與營銷能力較強且具備一定專業(yè)知識、行業(yè)經(jīng)驗和市場資源的經(jīng)銷商合作，利用經(jīng)銷商的渠道和經(jīng)驗拓展客戶資源，擴大市場占有率。

（三）所處行業(yè)情況

1.行業(yè)的發(fā)展階段、基本特點、主要技術(shù)門檻

（1）發(fā)展階段

功率半導(dǎo)體分立器件為半導(dǎo)體行業(yè)的主要組成部分，更是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲電等領(lǐng)域的基礎(chǔ)核心部件。

功率半導(dǎo)體的下游應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，且需求持續(xù)穩(wěn)定增長。除了消費電子、通信、計算機、工業(yè)控制、汽車電子等傳統(tǒng)領(lǐng)域，近年來，功率半導(dǎo)體器件在電動汽車/充電樁、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等諸多新興應(yīng)用領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用，隨著“碳中和”戰(zhàn)略的推進，功率半導(dǎo)體器件將迎來一個高速發(fā)展時期。

（2）基本特點

半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)、資本和人才密集型行業(yè)，無論是技術(shù)研發(fā)還是產(chǎn)線建設(shè)都需要大量的資金投入。公司目前正面臨電動汽車、新能源發(fā)電等下游新興產(chǎn)業(yè)帶來的市場機遇。公司在未來發(fā)展和爭取市場機遇過程中需投入大量的資金來進行產(chǎn)品及工藝的研發(fā)、產(chǎn)能的提升和研發(fā)人才的引進。

（3）主要技術(shù)門檻

自上世紀80年代IGBT產(chǎn)品開啟工業(yè)化應(yīng)用以來，一直為國外知名公司所壟斷，國外知名公司的產(chǎn)品系列化很全，應(yīng)用面很廣，其中英飛凌已實現(xiàn)各種電壓范圍IGBT覆蓋，三菱、富士電機、安森美也涵蓋了多個電壓區(qū)間。近年來，IGBT技術(shù)經(jīng)歷了豐富的演變，涌現(xiàn)出不同的IGBT技術(shù)方案，這些方案主要由英飛凌、三菱電機和富士電機等海外廠商主導(dǎo)推動。海外廠商IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計仍在不斷突破和創(chuàng)新，先后推出了溝槽柵場阻斷結(jié)構(gòu)、微細槽柵結(jié)構(gòu)、側(cè)柵結(jié)構(gòu)、鰭狀基區(qū)結(jié)構(gòu)等新技術(shù)，推動了IGBT應(yīng)用和市場發(fā)展。同時IGBT的制造工藝也在持續(xù)創(chuàng)新，深溝槽、精準摻雜、深度擴散、超薄片以及質(zhì)子注入等多種工藝的引入形成了較高的技術(shù)壁壘，制造技術(shù)也成為實現(xiàn)IGBT自主創(chuàng)新的關(guān)鍵。近幾年來，國內(nèi)IGBT無論是在芯片設(shè)計方面還是在芯片制造和封裝方面雖有突破但與國外相比仍有不少差距。

以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體2021年首次導(dǎo)入商業(yè)化，2018年在產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用爆發(fā)的推動下，正式進入高速發(fā)展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領(lǐng)域，以意法半導(dǎo)體，英飛凌科技為首的國際領(lǐng)先企業(yè)已實現(xiàn)SiC器件的量產(chǎn)并占據(jù)全球絕大部分市場份額。平面柵、溝槽柵、深溝槽、超薄片等新技術(shù)的引入使得SiC功率器件在成本和性能上更具優(yōu)勢，但上述技術(shù)的柵氧質(zhì)量、雙極退化、閾值電壓漂移、動態(tài)可靠性等諸多問題在設(shè)計和制造端都形成了很高的技術(shù)壁壘。近年來，國內(nèi)SiC行業(yè)在襯底制備、芯片設(shè)計、晶圓制造和封測方面都有突破，但與國外相比，技術(shù)水平和市場份額都有較大的差距。

2.公司所處的行業(yè)地位分析及其變化情況

公司致力于功率半導(dǎo)體芯片、單管及模塊研發(fā)與生產(chǎn)。公司曾榮獲“新型電力半導(dǎo)體器件領(lǐng)軍企業(yè)”、“蘇南國家自主創(chuàng)新示范區(qū)瞪羚企業(yè)”、“PSIC2019中國電動汽車用IGBT最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)稱號”和“中國電氣節(jié)能30年杰出貢獻企業(yè)”等榮譽稱號。“2-200A/200-1200V”超快速軟恢復(fù)外延二極管（FRED）芯片性能指標達到國際同類產(chǎn)品的先進水平。公司“超快軟恢復(fù)外延型二極管（FRED）系列產(chǎn)品”、“一種新型的NPTIGBT結(jié)構(gòu)”于2015年榮獲中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會等授予的“中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”。2015年，公司“高壓大電流高性能IGBT芯片及模塊的產(chǎn)業(yè)化”項目獲得江蘇省人民政府“江蘇省科學(xué)技術(shù)獎三等獎”，“一種新型NPTIGBT芯片和模塊的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目獲得中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎一等獎。公司通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品外延等手段不斷延伸產(chǎn)品線，能夠滿足不同終端客戶對產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)和性能多樣性的需求，具有一定的市場占有率和較強的品牌影響力。2021年，公司榮獲“江蘇省小巨人企業(yè)”的獎勵。2022年，公司榮獲“國家級專精特新小巨人企業(yè)”的獎勵。公司憑借可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與眾多知名企業(yè)客戶保持了良好的商業(yè)合作關(guān)系，同時依托龍頭客戶產(chǎn)生的市場效應(yīng)不斷向行業(yè)內(nèi)其他企業(yè)拓展。

二、核心技術(shù)與研發(fā)進展

1.核心技術(shù)及其先進性以及報告期內(nèi)的變化情況

公司建立了健全的研發(fā)體系和研發(fā)管理制度，加強對研發(fā)組織管理和研發(fā)過程管理，不斷強化芯片設(shè)計、模塊封裝測試等工藝技術(shù)積累，在核心技術(shù)方面不斷突破，打造了自身在功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計領(lǐng)域和模塊封裝領(lǐng)域的核心能力，并形成了公司的主要核心技術(shù)，

上述技術(shù)來源均為公司自主研發(fā)，并獨立享有相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)成果。

2.報告期內(nèi)獲得的研發(fā)成果

報告期內(nèi)，公司根據(jù)研發(fā)項目計劃以及市場需求情況展開技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)工作，根據(jù)項目要求配置先進設(shè)備，按項目特點和需求合理配置研發(fā)團隊，加強對外合作，充分利用公司研發(fā)資源，提升公司的自主創(chuàng)新能力和研發(fā)水平，鞏固和保持公司產(chǎn)品和技術(shù)的領(lǐng)先地位，取得了一定成效。報告期內(nèi)，公司主要取得的研發(fā)成果如下:

（1）光伏用400A/650V三電平定制模塊開發(fā)順利，已開始批量交付，目前產(chǎn)能穩(wěn)定，終端表現(xiàn)良好；

（2）車用800A/750V雙面散熱模塊開發(fā)順利，通過相關(guān)車用可靠性測試及系統(tǒng)測試，已開始小批量交付使用；

（3）車用750V12寸芯片的順利開發(fā)以及其對應(yīng)的車用模塊快速上量；

（4）12寸1700V高性能續(xù)流管及1700V IGBT芯片已完成開發(fā)和驗證。

3.研發(fā)投入情況表

研發(fā)投入總額較上年發(fā)生重大變化的原因

研發(fā)投入合計較上年同期增加117.24%，主要系公司持續(xù)重視研發(fā)工作，項目有序推進，并且較上年同期新增了1個在研項目,新增項目為：光伏用FRED芯片及分立器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

4.在研項目情況

5.研發(fā)人員情況

6.其他說明

二、經(jīng)營情況的討論與分析

報告期內(nèi)，公司專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，已經(jīng)建立完善的研發(fā)體系和研發(fā)團隊，目前公司已具備先進的IGBT、FRED芯片設(shè)計、工藝集成、模塊的封裝設(shè)計及工藝實現(xiàn)、器件的產(chǎn)品特性分析及可靠性研究等能力，自主研發(fā)已成為公司核心競爭力之一。產(chǎn)品方面公司已在IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、封裝和測試等方面積累核心技術(shù)，隨著公司技術(shù)與產(chǎn)品在工控領(lǐng)域的不斷滲入及新能源領(lǐng)域的不斷拓展，有望帶動公司業(yè)績持續(xù)增長。受益于雙碳戰(zhàn)略對于新能源汽車、光伏等下游產(chǎn)業(yè)成長所帶來的巨大推動及半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化的驅(qū)動，公司業(yè)務(wù)將進一步快速增長。公司將全面優(yōu)化管理流程，大力提高運營效率，降低成本提升效益，實現(xiàn)高質(zhì)量高速發(fā)展。

（一）經(jīng)營情況

在部分原材料供應(yīng)緊張、價格上漲的情況下，公司通過技術(shù)創(chuàng)新、工藝改進和精細化管理，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的良品率。通過加強上下游協(xié)同，深化產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略合作，核心競爭力持續(xù)提升。報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入76,441.78萬元，歸屬于上市公司股東凈利潤6,251.85萬元，同比分別增長129.70%和93.90%。

（二）募投項目情況

報告期內(nèi)，公司抓住市場需求旺盛和國產(chǎn)化替代的機遇，積極推進募投項目建設(shè)。加快引進先進的生產(chǎn)工藝設(shè)備，擴大產(chǎn)能，緩解了產(chǎn)能缺口。截至報告期末，“新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目”及“研發(fā)中心建設(shè)項目”共計已投入31,938.14萬元。

（三）研發(fā)工作情況

報告期內(nèi)，公司為加快產(chǎn)品開發(fā)速度、提高產(chǎn)品開發(fā)成功率、加強產(chǎn)品開發(fā)階段質(zhì)量管控，在產(chǎn)品研發(fā)階段導(dǎo)入了項目管理。并在公司內(nèi)部多場合、多頻次宣貫“目標管理、進度管理、預(yù)算管理”的意識，強調(diào)“通過團隊協(xié)作，加速新品和新技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品迭代”的理念，通過“產(chǎn)品需求管理、產(chǎn)品概念策劃、項目目標和計劃評審、項目立項評審、項目階段評審、項目驗收考核”等一系列措施的環(huán)環(huán)相扣，使得研發(fā)項目按時完成率和目標達成率較往年有較大的提升。聚焦公司主營業(yè)務(wù)方向、服務(wù)于中長期業(yè)務(wù)發(fā)展需求，公司在重點應(yīng)用領(lǐng)域（如電動汽車、光伏）、重點客戶、新市場積極布局新產(chǎn)品開發(fā)，通過市場調(diào)研、應(yīng)用分析、聯(lián)合下游客戶合作，持續(xù)篩選出經(jīng)濟效益較好、市場競爭力較強、技術(shù)含量高，創(chuàng)新性高，填補市場空白的產(chǎn)品開發(fā)需求。公司以汽車產(chǎn)品質(zhì)量管理IATF16949體系中五大工具（APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC）為切入點，梳理了APQP五個階段的輸入與輸出文件，使得項目開發(fā)過程中緊密圍繞產(chǎn)品質(zhì)量管理的主線，重點強化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息對齊與貫通，提高了產(chǎn)品開發(fā)階段全過程質(zhì)量意識及重要性。

基于項目管理的產(chǎn)品開發(fā)模式，公司通過明確項目目標、進度管理、預(yù)算管理，明確了項目開發(fā)各個階段的工作內(nèi)容及輸出物，設(shè)立了項目里程碑，在各個關(guān)鍵階段組織評審，評審階段目標及工作完成情況、問題點關(guān)閉情況是否達到預(yù)期要求，能否滿足進入下個階段工作的條件。實施項目管理以來，設(shè)計開發(fā)階段的變更得到了有效的控制、產(chǎn)品質(zhì)量先期策劃（APQP）的深入度得到了加強、開發(fā)階段的風(fēng)險項和問題點識別愈發(fā)細致。項目團隊人員專業(yè)化程度、職業(yè)化素養(yǎng)、人員的積極性得到較大的提升，“目標結(jié)果為導(dǎo)向、成本和經(jīng)營意識、項目時間的緊迫性”逐步地深入到各個部門中，團隊協(xié)作的意識得到加強。

報告期內(nèi)，公司根據(jù)年度研發(fā)計劃以及市場需求情況展開技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)工作，根據(jù)項目要求配置先進設(shè)備，按項目特點和需求合理配置研發(fā)團隊，加強對外合作，充分利用公司研發(fā)資源，提升公司的自主創(chuàng)新能力和研發(fā)水平，鞏固和保持公司產(chǎn)品和技術(shù)的領(lǐng)先地位，取得了一定成效。報告期內(nèi)，公司主要取得的研發(fā)成果如下：

1、光伏用400A/650V三電平定制模塊開發(fā)順利，已開始批量交付，目前產(chǎn)能穩(wěn)定，終端表現(xiàn)良好；

2、車用800A/750V雙面散熱模塊開發(fā)順利，通過相關(guān)車用可靠性測試及系統(tǒng)測試，已開始小批量交付使用；

3、車用750V12寸芯片的順利開發(fā)以及其對應(yīng)的車用模塊快速上量；

4、12寸1700V高性能續(xù)流管及1700V IGBT芯片已完成開發(fā)和驗證。

三、風(fēng)險因素

（一）核心競爭力風(fēng)險

1、技術(shù)升級及產(chǎn)品迭代風(fēng)險

功率半導(dǎo)體器件行業(yè)技術(shù)不斷升級，持續(xù)的研發(fā)投入和新產(chǎn)品開發(fā)是保持競爭優(yōu)勢的關(guān)鍵。公司現(xiàn)有的技術(shù)存在被新的技術(shù)替代的可能。如國內(nèi)外競爭對手推出更先進、更具競爭力的技術(shù)和產(chǎn)品，而公司未能準確把握行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢并制定新技術(shù)的研究方向，或公司技術(shù)和產(chǎn)品升級迭代的進度跟不上行業(yè)先進水平，新產(chǎn)品研發(fā)失敗，將導(dǎo)致產(chǎn)品技術(shù)落后、公司產(chǎn)品和技術(shù)被迭代的風(fēng)險。

（二）經(jīng)營風(fēng)險

1、重要供應(yīng)商依賴的風(fēng)險

產(chǎn)品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企業(yè)生產(chǎn)，外購芯片主要采購英飛凌等芯片供應(yīng)商。如果公司主要芯片代工供應(yīng)商產(chǎn)能嚴重緊張或者難以通過供應(yīng)商采購芯片，則可能導(dǎo)致公司產(chǎn)品無法及時、足量供應(yīng)，進而對公司的經(jīng)營業(yè)績產(chǎn)生不利影響。

2、固定資產(chǎn)折舊及減值的風(fēng)險

隨著公司改擴建項目的投產(chǎn)使用，將新增較大量的固定資產(chǎn)，使得年新增折舊及攤銷費用較大。若公司未來因面臨低迷的行業(yè)環(huán)境而使得經(jīng)營無法達到預(yù)期水平，則固定資產(chǎn)投入使用后帶來的新增效益可能無法彌補計提折舊的金額。

固定資產(chǎn)存在由于損壞、技術(shù)升級和運營效率降低等原因存在資產(chǎn)減值的風(fēng)險。未來，若下游市場重大變化、制造的工藝發(fā)生重大變革，或出現(xiàn)其他更為領(lǐng)先的工藝，亦會導(dǎo)致公司固定資產(chǎn)出現(xiàn)減值的風(fēng)險。

（三）行業(yè)風(fēng)險

1、市場競爭風(fēng)險

國際市場上，經(jīng)過60余年的發(fā)展，以英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體為代表的國際領(lǐng)先企業(yè)占據(jù)了全球半導(dǎo)體分立器件的主要市場份額。同時，國際領(lǐng)先企業(yè)掌握著多規(guī)格中高端芯片制造技術(shù)和先進的封裝技術(shù)，其研發(fā)投入強度也高于國內(nèi)企業(yè)，在全球競爭中保持優(yōu)勢地位，幾乎壟斷工業(yè)控制、新能源、電動汽車等利潤率較高的應(yīng)用領(lǐng)域。

國內(nèi)市場較為分散，市場化程度較高，各公司處于充分競爭狀態(tài)。我國目前已成為全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，并保持著較快的發(fā)展速度，這可能會吸引更多的競爭對手加入從而導(dǎo)致市場競爭加劇，公司如果研發(fā)效果不達預(yù)期，不能滿足新興市場及領(lǐng)域的要求，公司市場份額存在下降的風(fēng)險。

（四）宏觀環(huán)境風(fēng)險

公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源、電動汽車等行業(yè)，如果宏觀經(jīng)濟波動較大或長期處于低谷，上述行業(yè)的整體盈利能力會受到不同程度的影響，半導(dǎo)體行業(yè)也將隨之受到影響，從而對公司的銷售和利潤帶來負面影響。

四、報告期內(nèi)核心競爭力分析

(一)核心競爭力分析

1、技術(shù)優(yōu)勢

IGBT作為一種功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，屬于國家戰(zhàn)略高新技術(shù)及核心關(guān)鍵技術(shù)。公司專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，始終堅持“關(guān)注需求、賦予價值、成就品牌”的研發(fā)理念，以技術(shù)自主創(chuàng)新為根基，以研發(fā)持續(xù)投入為保障，建立了完善的研發(fā)體系和強大的研發(fā)團隊。公司已具備并掌握先進的IGBT、FRED芯片設(shè)計能力、工藝設(shè)計能力、模塊的封裝設(shè)計與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應(yīng)用研究與失效分析能力。公司自主研發(fā)設(shè)計的芯片是公司模塊產(chǎn)品具有高性價比的主要競爭力之一。經(jīng)過多年的技術(shù)沉淀和積累，公司已在IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、封裝和測試等方面積累了眾多優(yōu)秀核心技術(shù)。其中芯片領(lǐng)域的核心技術(shù)主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬原胞、逆導(dǎo)集成結(jié)構(gòu)等IGBT芯片設(shè)計及制造技術(shù)；軟恢復(fù)結(jié)構(gòu)、非均勻少子壽命控制技術(shù)等FRED芯片設(shè)計及制造技術(shù)；高可靠終端設(shè)計等高壓MOSFET芯片設(shè)計及制造技術(shù)等。

2、產(chǎn)品優(yōu)勢

公司致力于功率半導(dǎo)體芯片、單管及模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司產(chǎn)品集中應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機、UPS、開關(guān)電源等），部分產(chǎn)品應(yīng)用于新能源發(fā)電（光伏逆變器等）、電動汽車（電控系統(tǒng)等）等多元化領(lǐng)域。目前，公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品80余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品270余種，公司產(chǎn)品性能與工藝技術(shù)水平處于行業(yè)先進水平。

3、客戶優(yōu)勢

公司憑借先進的產(chǎn)品技術(shù)、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與行業(yè)龍頭企業(yè)及眾多知名客戶保持了良好的商業(yè)合作關(guān)系，同時依托龍頭企業(yè)產(chǎn)生的市場效應(yīng)不斷向行業(yè)內(nèi)其他企業(yè)拓展。

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