近日，一個200億級別的SiC IDM項目成功簽約落戶湖北武漢，或將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

實際上，今年以來，湖北還有4個在建的SiC項目，涉及環節包括襯底、器件、模塊等。

8月25日，長飛先進一行與武漢東湖高新區舉行了半導體合作項目簽約儀式，就第三代半導體功率器件研發生產基地項目達成合作。

(資料圖)

簽約現場

據介紹，雙方已簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議。該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力。

據“行家說三代半”此前報道，該項目于今年5月宣布啟動；今年6月，長飛先進宣布擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產項目，資金來源包括約36億元的股權融資及約24億元的銀行貸款。

該項目預計2025年建設完成，屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

此外，該項目還將建設第三代半導體科技創新中心，用于跟進第三代半導體國際前沿技術并開發第三代半導體器件先進工藝。

長飛先進武漢基地鳥瞰圖

目前，長飛先進已成功實現由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業務轉型，打造了完整的650V-3300V SiC產品矩陣；長飛光纖持有長飛先進22.9008%的股權，長飛先進不再納入上市公司合并報表范圍，為長飛光纖的合營公司。

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據“行家說三代半”不完全統計，2023年以來，湖北省還有4個在建的SiC項目。

●潛江市年產30萬片項目

1月，據湖北省公共資源交易平臺披露，年產30萬片碳化硅晶體項目已經通過潛江市發展和改革委員會審核，計劃將于2023年在潛江市開工。

該碳化硅項目總投資約為2.24億元，主要將新建廠房22860平方米，購置生產設備130臺套及環保配套設施。預計項目投產后，將形成年產30萬片碳化硅晶體（其中碳化硅涂層20萬片，碳化硅晶圓10萬片）的能力。

●吉盛微半導體SiC項目

5月6日，湖北武漢經開綜合保稅區及港口物流園新簽約了四個重大項目，其中包含一個碳化硅項目——吉盛微半導體SiC項目。

據悉，該項目總投資20億元，主要從事碳化硅材料研發及生產制造，目前已完成公司注冊、項目備案等手續，正在進行廠房裝修招標，預計在7月投產。

●智新半導體二期項目

5月18日，湖北武漢市二季度22個重大項目集中開工，其中包括智新半導體二期項目。該項目將新建一條車規級IGBT模塊生產線，實現新增年產30萬件汽車模塊生產能力。更重要的是，智新已購置相關工藝設備，具備SiC模塊研發及生產能力，滿足新能源汽車、新能源裝備、工業變頻等高端應用領域對IGBT、SiC產品的需求。

●九峰山6吋中試線通線

8月1日，九峰山實驗室6吋SiC中試線全面通線，實現了首批溝槽型SiC MOSFET器件晶圓下線。

九峰山實驗室于2021年由湖北省人民政府正式批復組建，是9大湖北實驗室之一，已建成9000平方米潔凈室以及化合物半導體工藝、檢測、材料平臺，4/6/8 inch工藝平臺全兼容。他們已經形成了碳化硅溝槽器件制備的自主IP成套工藝技術能力，在4個月內連續攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關鍵工藝問題。

注：本文來源地方政府及企業官網，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。

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