近日，一個200億級別的SiC IDM項目成功簽約落戶湖北武漢，或將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

實際上，今年以來，湖北還有4個在建的SiC項目，涉及環(huán)節(jié)包括襯底、器件、模塊等。

8月25日，長飛先進一行與武漢東湖高新區(qū)舉行了半導體合作項目簽約儀式，就第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目達成合作。

(資料圖)

簽約現場

據介紹，雙方已簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目合作協議。該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力。

據“行家說三代半”此前報道，該項目于今年5月宣布啟動；今年6月，長飛先進宣布擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產項目，資金來源包括約36億元的股權融資及約24億元的銀行貸款。

該項目預計2025年建設完成，屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

此外，該項目還將建設第三代半導體科技創(chuàng)新中心，用于跟進第三代半導體國際前沿技術并開發(fā)第三代半導體器件先進工藝。

長飛先進武漢基地鳥瞰圖

目前，長飛先進已成功實現由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業(yè)務轉型，打造了完整的650V-3300V SiC產品矩陣；長飛光纖持有長飛先進22.9008%的股權，長飛先進不再納入上市公司合并報表范圍，為長飛光纖的合營公司。

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據“行家說三代半”不完全統(tǒng)計，2023年以來，湖北省還有4個在建的SiC項目。

●潛江市年產30萬片項目

1月，據湖北省公共資源交易平臺披露，年產30萬片碳化硅晶體項目已經通過潛江市發(fā)展和改革委員會審核，計劃將于2023年在潛江市開工。

該碳化硅項目總投資約為2.24億元，主要將新建廠房22860平方米，購置生產設備130臺套及環(huán)保配套設施。預計項目投產后，將形成年產30萬片碳化硅晶體（其中碳化硅涂層20萬片，碳化硅晶圓10萬片）的能力。

●吉盛微半導體SiC項目

5月6日，湖北武漢經開綜合保稅區(qū)及港口物流園新簽約了四個重大項目，其中包含一個碳化硅項目——吉盛微半導體SiC項目。

據悉，該項目總投資20億元，主要從事碳化硅材料研發(fā)及生產制造，目前已完成公司注冊、項目備案等手續(xù)，正在進行廠房裝修招標，預計在7月投產。

●智新半導體二期項目

5月18日，湖北武漢市二季度22個重大項目集中開工，其中包括智新半導體二期項目。該項目將新建一條車規(guī)級IGBT模塊生產線，實現新增年產30萬件汽車模塊生產能力。更重要的是，智新已購置相關工藝設備，具備SiC模塊研發(fā)及生產能力，滿足新能源汽車、新能源裝備、工業(yè)變頻等高端應用領域對IGBT、SiC產品的需求。

●九峰山6吋中試線通線

8月1日，九峰山實驗室6吋SiC中試線全面通線，實現了首批溝槽型SiC MOSFET器件晶圓下線。

九峰山實驗室于2021年由湖北省人民政府正式批復組建，是9大湖北實驗室之一，已建成9000平方米潔凈室以及化合物半導體工藝、檢測、材料平臺，4/6/8 inch工藝平臺全兼容。他們已經形成了碳化硅溝槽器件制備的自主IP成套工藝技術能力，在4個月內連續(xù)攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關鍵工藝問題。

注：本文來源地方政府及企業(yè)官網，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。

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